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  • 型号: VS-1N1186
  • 制造商: Vishay
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供VS-1N1186由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VS-1N1186价格参考。VishayVS-1N1186封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载VS-1N1186参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有VS-1N1186 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

VS-1N1186 是 Vishay Intertechnologies 推出的一款高压硅整流二极管(单管),属于标准恢复型整流器,额定反向重复峰值电压(VRRM)高达 1000 V,平均正向整流电流(IF(AV))为 1 A,正向压降(VF)典型值约 1.1 V(在 IF = 1 A 时)。其主要应用场景包括:

- 工业电源与开关电源(SMPS)的输入整流级:适用于交流市电(如 220/380 VAC)经变压器降压后的次级高压整流,尤其适合对成本敏感、无需超快恢复特性的中低频(50/60 Hz 或数百Hz)整流场合。

- 线性电源中的桥式或半波整流电路:常用于老式仪器仪表、电机控制板、继电器驱动电源等对EMI要求不高、但需高耐压和稳定可靠性的设备中。

- 电容输入滤波电路:因具备良好浪涌电流承受能力(IFSM ≥ 30 A),可应对电容充电瞬间的大电流冲击,适用于带大容量滤波电容的直流供电前端。

- 通用高压整流替代件:广泛用于消费电子适配器、LED驱动电源、电池充电器及工控PLC电源模块中,作为1N4007的高性能升级选项(更高耐压、更优一致性)。

注意:该器件为标准恢复型(trr ≈ 2–4 μs),不适用于高频(>20 kHz)或PFC电路;若需高频或低功耗应用,应选用肖特基或快恢复二极管。其TO-204AA(DO-4)金属封装具备良好散热性与机械强度,适合通孔安装及中等功率环境。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB整流器 200 Volt 35 Amp

产品分类

单二极管/整流器分离式半导体

品牌

Vishay SemiconductorsVishay Semiconductor Diodes Division

产品手册

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,整流器,Vishay Semiconductors VS-1N1186-

数据手册

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产品型号

VS-1N1186VS-1N1186

不同If时的电压-正向(Vf)

1.7V @ 110A

不同 Vr、F时的电容

-

不同 Vr时的电流-反向漏电流

10mA @ 200V

二极管类型

标准

产品

Standard Recovery Rectifiers

产品种类

整流器

供应商器件封装

DO-203AB

其它名称

*1N1186
1N1186
1N1186-ND
VS-1N1186-ND
VS-1N1186GI

包装

散装

反向恢复时间(trr)

-

反向电压

200 V

反向电流IR

10000 uA

商标

Vishay Semiconductors

安装类型

底座,接线柱安装

安装风格

Stud

封装

Bulk

封装/外壳

DO-203AB,DO-5,接线柱

封装/箱体

DO-203AB (DO-5)

工作温度-结

-65°C ~ 190°C

工厂包装数量

100

最大工作温度

+ 190 C

最大浪涌电流

400 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

100

正向电压下降

1.7 V at 110 A

正向连续电流

35 A

热阻

0.25°C/W Cs

电压-DC反向(Vr)(最大值)

200V

电流-平均整流(Io)

35A

速度

标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

配置

Single

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