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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供VS-1N1186由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VS-1N1186价格参考。VishayVS-1N1186封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载VS-1N1186参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有VS-1N1186 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
VS-1N1186 是 Vishay Intertechnologies 推出的一款高压硅整流二极管(单管),属于标准恢复型整流器,额定反向重复峰值电压(VRRM)高达 1000 V,平均正向整流电流(IF(AV))为 1 A,正向压降(VF)典型值约 1.1 V(在 IF = 1 A 时)。其主要应用场景包括: - 工业电源与开关电源(SMPS)的输入整流级:适用于交流市电(如 220/380 VAC)经变压器降压后的次级高压整流,尤其适合对成本敏感、无需超快恢复特性的中低频(50/60 Hz 或数百Hz)整流场合。 - 线性电源中的桥式或半波整流电路:常用于老式仪器仪表、电机控制板、继电器驱动电源等对EMI要求不高、但需高耐压和稳定可靠性的设备中。 - 电容输入滤波电路:因具备良好浪涌电流承受能力(IFSM ≥ 30 A),可应对电容充电瞬间的大电流冲击,适用于带大容量滤波电容的直流供电前端。 - 通用高压整流替代件:广泛用于消费电子适配器、LED驱动电源、电池充电器及工控PLC电源模块中,作为1N4007的高性能升级选项(更高耐压、更优一致性)。 注意:该器件为标准恢复型(trr ≈ 2–4 μs),不适用于高频(>20 kHz)或PFC电路;若需高频或低功耗应用,应选用肖特基或快恢复二极管。其TO-204AA(DO-4)金属封装具备良好散热性与机械强度,适合通孔安装及中等功率环境。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB整流器 200 Volt 35 Amp |
| 产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
| 品牌 | Vishay SemiconductorsVishay Semiconductor Diodes Division |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,整流器,Vishay Semiconductors VS-1N1186- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | VS-1N1186VS-1N1186 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.7V @ 110A |
| 不同 Vr、F时的电容 | - |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 10mA @ 200V |
| 二极管类型 | 标准 |
| 产品 | Standard Recovery Rectifiers |
| 产品种类 | 整流器 |
| 供应商器件封装 | DO-203AB |
| 其它名称 | *1N1186 |
| 包装 | 散装 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 反向电压 | 200 V |
| 反向电流IR | 10000 uA |
| 商标 | Vishay Semiconductors |
| 安装类型 | 底座,接线柱安装 |
| 安装风格 | Stud |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | DO-203AB,DO-5,接线柱 |
| 封装/箱体 | DO-203AB (DO-5) |
| 工作温度-结 | -65°C ~ 190°C |
| 工厂包装数量 | 100 |
| 最大工作温度 | + 190 C |
| 最大浪涌电流 | 400 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 100 |
| 正向电压下降 | 1.7 V at 110 A |
| 正向连续电流 | 35 A |
| 热阻 | 0.25°C/W Cs |
| 电压-DC反向(Vr)(最大值) | 200V |
| 电流-平均整流(Io) | 35A |
| 速度 | 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) |
| 配置 | Single |