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详细数据请看参考数据手册
- 型号： VQ1001P-E3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供VQ1001P-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VQ1001P-E3价格参考。VishayVQ1001P-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载VQ1001P-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有VQ1001P-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 VQ1001P-E3 是一款双通道、N沟道增强型功率MOSFET阵列（采用SO-8封装），具有低导通电阻（Rds(on)典型值约12mΩ @ Vgs=10V）、高开关速度及集成ESD保护等特点。其典型应用场景包括： 1. DC-DC电源转换：广泛用于同步降压（Buck）转换器的上下管驱动，尤其适用于中等功率（如5–20W）的POL（Point-of-Load）电源模块，提升效率并减小体积。 2. 负载开关与电源管理：在便携式设备（如平板电脑、笔记本电脑主板、USB-C供电系统）中用作高效、低功耗的电源通断控制，支持快速开启/关断和反向电流阻断。 3. 电机驱动与LED驱动：适用于小型直流无刷电机（BLDC）的半桥驱动，或RGB LED背光/照明系统的PWM调光控制，得益于其快速开关特性和低热损耗。 4. 电池保护与充电管理：在锂电保护板或智能充电IC外围电路中，作为充放电路径的主控开关，配合保护IC实现过流、短路及反接防护。 该器件工作电压范围为±20V（栅源），最大漏源电压30V，连续漏极电流达7A（Tc=25°C），具备良好的热稳定性和可靠性，适用于空间受限且需高功率密度的工业与消费类电子设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 4N-CH 30V 830MA 14DIP |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 4 个 N 通道 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | VQ1001P-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 110pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.75 欧姆 @ 200mA， 5V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | - |
| 标准包装 | 25 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 830mA |
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