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UMH1N-TP产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供UMH1N-TP由MCC设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供UMH1N-TP价格参考以及MCCUMH1N-TP封装/规格参数等产品信息。 你可以下载UMH1N-TP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书, 资料中有UMH1N-TP详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT363 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | Micro Commercial Co |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | UMH1N-TP |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 500µA, 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 56 @ 5mA,5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24932 |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 其它名称 | UMH1N-TPMSCT |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式(双) |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 频率-跃迁 | 250MHz |