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  • 型号: 1N5273BDO35
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供1N5273BDO35由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5273BDO35价格参考。American Microsemiconductor, Inc.1N5273BDO35封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载1N5273BDO35参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1N5273BDO35 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Microsemi Corporation(现为Microchip子公司)的1N5273BDO35是一款齐纳二极管,属于单颗齐纳二极管类别。该型号常用于需要电压参考或电压钳位保护的电子电路中。

1N5273BDO35的主要应用场景包括:

1. 电压参考源:该齐纳二极管可为模拟电路、电源管理模块或ADC/DAC电路提供稳定的参考电压,确保系统运行的精度与稳定性。

2. 电源保护电路:在电源或充电电路中,用于防止电压过高对后级电路造成损害,起到钳位保护作用。

3. 浪涌保护电路:在通信设备、工业控制系统中,可用于吸收瞬态电压尖峰,提升系统的抗干扰能力与可靠性。

4. 电池管理系统:在电池充放电管理电路中,用于监测和限制电压,防止电池过充或过放。

5. 消费类电子产品:如手机、平板、笔记本电脑等设备中的稳压与保护电路。

该器件采用DO-35封装,适合通孔安装,具备良好的稳定性和可靠性,适用于工业级温度范围,广泛应用于通信、工业控制、电源管理等领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 120V 500MW DO35

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

Microsemi Commercial Components Group

数据手册

产品图片

产品型号

1N5273BDO35

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

1.5V @ 200mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

100nA @ 91V

供应商器件封装

DO-35

其它名称

1N5273B
1N5273BDO35MSTR
1N5273BDO35MSTR-ND
1N5273BMSTR
1N5273BMSTR-ND
1N5273DO35
1N5273DO35MSTR
1N5273DO35MSTR-ND

功率-最大值

500mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

通孔

容差

±5%

封装/外壳

DO-204AH,DO-35,轴向

工作温度

-65°C ~ 175°C

标准包装

10,000

电压-齐纳(标称值)(Vz)

120V

阻抗(最大值)(Zzt)

900 欧姆

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