图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SPP03N60S5由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SPP03N60S5价格参考。InfineonSPP03N60S5封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SPP03N60S5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SPP03N60S5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-220ABMOSFET COOL MOS N-CH 600V 3.2A |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 3.2 A |
Id-连续漏极电流 | 3.2 A |
品牌 | Infineon Technologies |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies SPP03N60S5CoolMOS™ |
数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/SPP03N60S5_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42c7ad9470b |
产品型号 | SPP03N60S5 |
Pd-PowerDissipation | 38 W |
Pd-功率耗散 | 38 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.4 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 1.4 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 25 ns |
下降时间 | 15 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5.5V @ 135µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 420pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 16nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.4 欧姆 @ 2A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PG-TO220-3 |
其它名称 | SP000012340 |
典型关闭延迟时间 | 40 ns |
功率-最大值 | 38W |
包装 | 管件 |
商标 | Infineon Technologies |
商标名 | CoolMOS |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 1.4 Ohms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 500 |
汲极/源极击穿电压 | 600 V |
漏极连续电流 | 3.2 A |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.2A (Tc) |
系列 | xPP03N60 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | SP000681020 SPP03N60S5XKSA1 |