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  • 型号: SPP03N60S5
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SPP03N60S5由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SPP03N60S5价格参考。InfineonSPP03N60S5封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SPP03N60S5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SPP03N60S5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-220ABMOSFET COOL MOS N-CH 600V 3.2A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

3.2 A

Id-连续漏极电流

3.2 A

品牌

Infineon Technologies

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies SPP03N60S5CoolMOS™

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/SPP03N60S5_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42c7ad9470b

产品型号

SPP03N60S5

Pd-PowerDissipation

38 W

Pd-功率耗散

38 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

1.4 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

1.4 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

600 V

Vds-漏源极击穿电压

600 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

25 ns

下降时间

15 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5.5V @ 135µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

420pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

16nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.4 欧姆 @ 2A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PG-TO220-3

其它名称

SP000012340
SPP03N60S5HKSA1
SPP03N60S5IN
SPP03N60S5X
SPP03N60S5XTIN
SPP03N60S5XTIN-ND

典型关闭延迟时间

40 ns

功率-最大值

38W

包装

管件

商标

Infineon Technologies

商标名

CoolMOS

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

1.4 Ohms

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

500

汲极/源极击穿电压

600 V

漏极连续电流

3.2 A

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

3.2A (Tc)

系列

xPP03N60

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

SP000681020 SPP03N60S5XKSA1

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