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  • 型号: SGH15N120RUFTU
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SGH15N120RUFTU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SGH15N120RUFTU价格参考。Fairchild SemiconductorSGH15N120RUFTU封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SGH15N120RUFTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SGH15N120RUFTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

SGH15N120RUFTU 是安森美(ON Semiconductor)推出的1200V、15A高速沟槽型IGBT(绝缘栅双极型晶体管),采用TO-247AD封装,内置快速软恢复反并联二极管,具备低导通压降(VCE(sat) ≈ 2.1V @ IC=15A)、短尾电流、高开关速度及良好鲁棒性。

典型应用场景包括:  
• 工业变频驱动:用于中功率(约5–10kW)电机驱动器的逆变桥臂,适配泵、风机、压缩机等对效率与EMI有要求的场合;  
• 感应加热电源:在30–100kHz高频谐振逆变电路中,凭借低开关损耗与优异dv/dt耐受能力,提升热效率与系统可靠性;  
• UPS与光伏逆变器:作为DC-AC升压/逆变级功率开关,支持1200V母线电压,满足光伏组串高压化趋势及UPS高可靠性需求;  
• 电磁炉与商用厨电主功率开关:在高频率、高重复di/dt工况下稳定工作,配合优化驱动可实现高效、低噪声运行。

该器件不适用于超低导通损耗优先的超大电流场景(如>30A工业逆变),亦非纯MOSFET替代品——其设计平衡了开关速度、饱和压降与短路耐受时间(典型值2μs),特别适合需兼顾效率、散热与可靠性的中高频硬开关应用。使用时建议搭配合适的门极电阻与负压关断(如–5V至–8V)以抑制误导通。
产品参数 图文手册 常见问题
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