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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SD1224-02由Advanced Semiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SD1224-02价格参考。Advanced Semiconductor, Inc.SD1224-02封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SD1224-02参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SD1224-02 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation(现为Microchip Technology的一部分)生产的SD1224-02是一种双极射频晶体管(BJT),广泛应用于射频功率放大器领域。以下是该型号的应用场景: 1. 无线通信系统: SD1224-02适用于无线通信基础设施,例如蜂窝基站、中继站和无线网络设备中的射频功率放大器。其高频率特性和功率处理能力使其成为理想选择。 2. 工业、科学和医疗(ISM)应用: 该晶体管可用于ISM频段的设备,如射频加热装置、等离子体发生器和医疗成像设备。它能够提供稳定的功率输出,确保设备高效运行。 3. 广播系统: 在调频(FM)和调幅(AM)广播中,SD1224-02可作为功率放大器的核心元件,用于增强信号强度以覆盖更广的区域。 4. 雷达与导航系统: 由于其高频性能和可靠性,该晶体管适合用于气象雷达、空中交通管制雷达以及船舶导航系统中的射频模块。 5. 测试与测量设备: 在实验室环境中,SD1224-02可用于信号发生器、频谱分析仪和其他需要高精度射频信号放大的仪器中。 6. 业余无线电: 对于业余无线电爱好者来说,这款晶体管可以用来构建高性能的射频发射机或线性放大器,提高通信距离和质量。 7. 卫星通信: 在地面站设备中,SD1224-02可用于上变频器和下变频器的功率放大阶段,确保信号传输的稳定性和可靠性。 总之,SD1224-02凭借其优异的射频性能和稳定性,成为多种射频应用的理想选择,尤其在需要高效功率放大和高频率操作的场合表现突出。
参数 | 数值 |
品牌 | Advanced Semiconductor, Inc. |
产品目录 | 半导体 |
描述 | 射频双极晶体管 RF Transistor |
产品分类 | 分离式半导体 |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS |
产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,Advanced Semiconductor, Inc. SD1224-02 |
产品型号 | SD1224-02 |
产品种类 | 射频双极晶体管 |
功率耗散 | 60 W |
发射极-基极电压VEBO | 4 V |
商标 | Advanced Semiconductor, Inc. |
安装风格 | Screw |
封装 | Tray |
封装/箱体 | M113 |
技术 | Silicon |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | Bipolar Power |
最大工作温度 | + 150 C |
最大工作频率 | 175 MHz |
最小工作温度 | - 65 C |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 5 |
类型 | RF Bipolar Power |
配置 | Single Dual Emitter |
集电极—发射极最大电压VCEO | 35 V |
集电极连续电流 | 5 A |
频率 | 175 MHz |