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  • 型号: SD1224-02
  • 制造商: Advanced Semiconductor, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SD1224-02由Advanced Semiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SD1224-02价格参考。Advanced Semiconductor, Inc.SD1224-02封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SD1224-02参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SD1224-02 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Microsemi Corporation(现为Microchip Technology的一部分)生产的SD1224-02是一种双极射频晶体管(BJT),广泛应用于射频功率放大器领域。以下是该型号的应用场景:

1. 无线通信系统:  
   SD1224-02适用于无线通信基础设施,例如蜂窝基站、中继站和无线网络设备中的射频功率放大器。其高频率特性和功率处理能力使其成为理想选择。

2. 工业、科学和医疗(ISM)应用:  
   该晶体管可用于ISM频段的设备,如射频加热装置、等离子体发生器和医疗成像设备。它能够提供稳定的功率输出,确保设备高效运行。

3. 广播系统:  
   在调频(FM)和调幅(AM)广播中,SD1224-02可作为功率放大器的核心元件,用于增强信号强度以覆盖更广的区域。

4. 雷达与导航系统:  
   由于其高频性能和可靠性,该晶体管适合用于气象雷达、空中交通管制雷达以及船舶导航系统中的射频模块。

5. 测试与测量设备:  
   在实验室环境中,SD1224-02可用于信号发生器、频谱分析仪和其他需要高精度射频信号放大的仪器中。

6. 业余无线电:  
   对于业余无线电爱好者来说,这款晶体管可以用来构建高性能的射频发射机或线性放大器,提高通信距离和质量。

7. 卫星通信:  
   在地面站设备中,SD1224-02可用于上变频器和下变频器的功率放大阶段,确保信号传输的稳定性和可靠性。

总之,SD1224-02凭借其优异的射频性能和稳定性,成为多种射频应用的理想选择,尤其在需要高效功率放大和高频率操作的场合表现突出。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
品牌

Advanced Semiconductor, Inc.

产品目录

半导体

描述

射频双极晶体管 RF Transistor

产品分类

分离式半导体

产品手册

产品图片

rohs

符合RoHS

产品系列

晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,Advanced Semiconductor, Inc. SD1224-02

产品型号

SD1224-02

产品种类

射频双极晶体管

功率耗散

60 W

发射极-基极电压VEBO

4 V

商标

Advanced Semiconductor, Inc.

安装风格

Screw

封装

Tray

封装/箱体

M113

技术

Silicon

晶体管极性

NPN

晶体管类型

Bipolar Power

最大工作温度

+ 150 C

最大工作频率

175 MHz

最小工作温度

- 65 C

直流集电极/BaseGainhfeMin

5

类型

RF Bipolar Power

配置

Single Dual Emitter

集电极—发射极最大电压VCEO

35 V

集电极连续电流

5 A

频率

175 MHz

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