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- 型号： RSS120N03FU6TB
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RSS120N03FU6TB由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RSS120N03FU6TB价格参考。ROHM SemiconductorRSS120N03FU6TB封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RSS120N03FU6TB参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RSS120N03FU6TB 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RSS120N03FU6TB 是一款由 ROHM（罗姆）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用小型表面贴装封装（如 TSMT6），具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 12 mΩ @ VGS = 10 V）、高开关速度及优异的热稳定性。 其典型应用场景包括： ✅ DC-DC 电源转换：广泛用于同步整流 Buck/Boost 转换器中，作为主开关或同步整流管，提升转换效率（尤其在 3–5 V 输入、大电流（≤12 A）输出场景下）； ✅ 电池供电设备：适用于便携式设备（如蓝牙耳机、TWS 充电仓、智能手环）中的负载开关与电池保护电路，得益于其低阈值电压（VGS(th) ≈ 1.0–2.5 V）和逻辑电平驱动能力； ✅ 电机驱动：用于小型直流有刷电机（如微型风扇、振动马达、摄像头对焦模块）的 H 桥或单路驱动，支持 PWM 高频调速； ✅ LED 驱动与背光控制：在手机/平板背光驱动或 RGB LED 调光电路中作恒流开关，响应快、功耗低； ✅ 电子负载与电源管理 IC 外围开关：配合 PMIC 或电池管理芯片（BMS）实现充放电路径控制、过流保护等。 该器件额定电压为 30 V，连续漏极电流达 12 A（Tc=25°C），具备内置 ESD 保护与雪崩耐量，适合空间受限、高能效要求的消费类及工业级嵌入式应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | RSS120N03FU6TB |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1360pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 10 毫欧 @ 12A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Ta） |
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