Datasheet下载- 型号： PZU3.0B,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PZU3.0B,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PZU3.0B,115价格参考。NXP SemiconductorsPZU3.0B,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PZU3.0B,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PZU3.0B,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PZU3.0B,115 是恩智浦（NXP USA Inc.）推出的3.0V单齐纳二极管，采用SOD-323小型表面贴装封装，具有低动态阻抗、高稳定性和良好ESD防护能力（HBM ≥8kV）。其典型应用场景包括： 1. 精密电压基准与稳压：为低功耗传感器、MCU复位电路或ADC参考源提供3.0V稳定基准电压，适用于电池供电设备（如可穿戴设备、IoT节点）中对功耗和精度要求较高的场合。 2. 过压保护与ESD钳位：在USB接口、I²C/SPI总线、GPIO等信号线上用作瞬态电压抑制器（TVS替代方案），快速钳位浪涌或静电放电（如±8kV接触放电），保护后端MCU或通信芯片。 3. 电源轨箝位与LDO辅助稳压：配合低压差稳压器（LDO）使用，在输入波动较大时维持3.0V输出稳定；或用于LDO反馈网络中微调输出电压。 4. 消费电子与工业控制：广泛应用于智能手机外围电路、智能电表、PLC模块、汽车信息娱乐系统（满足AEC-Q200 Grade 3可靠性）中的电压监控与保护环节。 该器件工作电流范围宽（1mA–100mA），温度系数小（±2mV/°C），且115后缀代表编带卷装，适合自动化贴片生产。注意需合理设计限流电阻以确保齐纳工作在额定功率（通常300mW）内。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 3V 310MW SOD323F稳压二极管 ZENER DIODE |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors PZU3.0B,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PZU3.0B,115 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.1V @ 100mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 10µA @ 1V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOD-323F |
| 其它名称 | 568-3895-6 |
| 功率-最大值 | 310mW |
| 功率耗散 | 550 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-90，SOD-323F |
| 封装/箱体 | SC-90 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 10 nA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 95 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向电压下降 | 1.1 V at 100 mA |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 3V |
| 电压容差 | 5 % |
| 电压温度系数 | - 2.1 mV/K |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 95 欧姆 |
| 零件号别名 | PZU3.0B T/R |
| 齐纳电压 | 3 V |
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