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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PUMD15,135由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PUMD15,135价格参考。NXP SemiconductorsPUMD15,135封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PUMD15,135参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PUMD15,135 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为PUMD15,135的晶体管,属于Nexperia USA Inc.品牌下的双极型晶体管(BJT)类别,具体为预偏置阵列晶体管。该晶体管广泛应用于多个电子领域,主要因其具备高稳定性和高效率的特点。 在实际应用中,PUMD15,135常用于电源管理和负载开关电路中,例如在消费类电子产品中作为逻辑电路的驱动元件,或者在电池供电设备中实现低功耗控制。其预偏置结构有助于减少外围元件数量,简化电路设计并提升系统可靠性。 此外,该器件也适用于汽车电子系统,如车载传感器、车身控制模块或LED照明驱动电路,满足汽车工业对高可靠性和高温工作性能的需求。在工业自动化和通信设备中,PUMD15,135可用于接口电路和信号切换,提供稳定且高效的电流控制能力。 总之,这款晶体管适用于需要紧凑设计、低功耗、高稳定性的各类应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PUMD15,135 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 150mV @ 500µA, 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 30 @ 10mA,5V |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 934057891135 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 4.7k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | - |