Datasheet下载- 型号： PUMB16,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PUMB16,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PUMB16,115价格参考。NXP SemiconductorsPUMB16,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PUMB16,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PUMB16,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PUMB16,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极结型晶体管（BJT）预偏置阵列，内含两个独立的 NPN 晶体管，每路均集成基极-发射极和基极-集电极电阻（典型配置：R₁ = 2.2 kΩ，R₂ = 47 kΩ），实现内置偏置，无需外接偏置电阻。该器件采用 SOT-363（SC-70-6）小型封装，具有低功耗、高可靠性及优异的开关性能。 其典型应用场景包括： 1. 数字逻辑接口电平转换与驱动：用于微控制器（如 ARM、PIC、ESP 系列）GPIO 引脚驱动 LED、小型继电器或光耦输入端，简化电路设计； 2. LED 驱动电路：在便携式设备（如智能穿戴、遥控器、传感器节点）中直接驱动指示LED，降低PCB面积与BOM成本； 3. 信号切换与多路开关控制：配合MCU实现多路传感器使能/复位控制、I²C总线缓冲或上拉增强； 4. 电池供电设备的低功耗唤醒电路：利用其低待机电流（ICEO < 100 nA）和快速开关特性，适用于IoT终端的休眠/唤醒控制模块； 5. 工业HMI与家电控制板：作为按键扫描矩阵的输入缓冲或蜂鸣器驱动开关，提升抗干扰能力。 该器件符合AEC-Q100（Grade 3）标准，具备一定车规兼容性，亦广泛用于消费电子、白色家电及工业控制等对尺寸、成本和可靠性有较高要求的场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP 6TSSOP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PUMB16,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，5V |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 934057885115 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 频率-跃迁 | - |
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