Datasheet下载- 型号： PMWD19UN,518
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMWD19UN,518由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMWD19UN,518价格参考。NXP SemiconductorsPMWD19UN,518封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PMWD19UN,518参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMWD19UN,518 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMWD19UN,518 是 NXP USA Inc. 推出的双通道 N 沟道逻辑电平 MOSFET 阵列（采用 SOT-363 封装），具有低导通电阻（Rds(on) 典型值 42 mΩ @ Vgs=4.5V）、低栅极电荷和紧凑集成设计。其典型应用场景包括： 1. 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS 耳机、可穿戴设备中的负载开关、LED 背光驱动或电池充放电路径控制，得益于其小尺寸、低功耗及逻辑电平兼容性（1.8V–4.5V 可驱动）。 2. 接口与信号切换电路：用于 I²C、GPIO 或低速数据线的电平转换/隔离，双MOSFET结构支持双向信号通断或总线切换（如多传感器共享通信总线时的通道选择）。 3. DC-DC 转换器辅助功能：在同步降压转换器中用作次级侧同步整流开关（适用于中小功率、低成本方案），或作为 PWM 控制的 LED/电机调光驱动开关。 4. 工业与消费类嵌入式系统：如智能电表、家电控制板中的继电器替代方案，实现固态开关、过流保护或热插拔控制，提升可靠性与响应速度。 该器件不适用于高功率主开关或高频（>1 MHz）硬开关场景，但凭借高集成度、AEC-Q101 兼容（部分批次）、无铅封装及宽温度范围（−55°C 至 +150°C），特别适合空间受限、需双路独立控制且成本敏感的中低功率应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH TRENCH DL 30V 8TSSOP |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PMWD19UN,518 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 700mV @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1478pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 28nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 23 毫欧 @ 3.5A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 8-TSSOP |
| 其它名称 | 568-2361-6 |
| 功率-最大值 | 2.3W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.6A |
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