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详细数据请看参考数据手册
- 型号： PMN55LN,135
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMN55LN,135由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMN55LN,135价格参考。NXP SemiconductorsPMN55LN,135封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PMN55LN,135参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMN55LN,135 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMN55LN,135 是 Nexperia（安世半导体）出品的 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET，采用 SOT-23 小型表面贴装封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 48 mΩ @ VGS = 4.5 V）、低栅极电荷（QG ≈ 3.4 nC）和快速开关特性。其典型应用场景包括： - 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关、LED背光驱动或电池保护电路，得益于其低功耗与小尺寸； - DC-DC 转换器次级侧同步整流：在升压/降压模块中替代肖特基二极管，提升转换效率； - 电机驱动与继电器驱动：用于微型直流电机（如振动马达、风扇）或固态继电器的栅极驱动，支持 3.3 V/5 V MCU 直接控制（逻辑电平兼容）； - USB 接口过流保护与热插拔控制：配合限流电路实现端口级电源开关功能； - 工业传感器与IoT节点的信号切换：在低功耗传感节点中作为模拟/数字信号通路的高速电子开关。 该器件额定电压为 60 V，连续漏极电流达 3.5 A（Tamb=25°C），具备良好的热稳定性与ESD防护（HBM ±2 kV），适用于空间受限、需高效可靠开关的中低压（≤30 V系统）场景。不适用于高功率或高频射频应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 4.1A 6TSOP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PMN55LN,135 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 500pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13.1nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 65 毫欧 @ 2.5A，10V |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | 568-7425-6 |
| 功率-最大值 | 1.75W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.1A （Tsp） |
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