Datasheet下载- 型号： PDTC123EEF,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTC123EEF,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTC123EEF,115价格参考。NXP SemiconductorsPDTC123EEF,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PDTC123EEF,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTC123EEF,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDTC123EEF,115 是恩智浦（NXP USA Inc.）推出的预偏置NPN型双极结型晶体管（BJT），内置基极-发射极电阻（R₁=2.2kΩ）和基极-集电极反馈电阻（R₂=10kΩ），采用超小型SOT-323（SC-70）封装。其典型应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与开关控制：常用于微控制器（如MCU、GPIO）驱动LED、小型继电器、蜂鸣器或MOSFET栅极，无需外置偏置电阻，简化PCB设计，提升可靠性。 2. 低功耗便携设备：适用于智能手机、可穿戴设备、无线传感器节点等对空间和功耗敏感的场景，支持100mA连续集电极电流（IC），饱和压降低（VCE(sat)典型值仅0.1V @ IB=1mA），减少发热与能耗。 3. 信号调理与接口电路：在I²C、SPI等总线的上拉/缓冲、按键消抖、复位信号整形等场合，利用其快速开关特性（tf < 10ns）实现可靠电平切换。 4. 工业与消费类电子：广泛用于家电控制板、电源状态指示、电池管理电路中的负载检测与保护开关。 该器件符合AEC-Q100汽车级可靠性标准（部分批次），亦适用于车规辅助应用；支持-65℃~+150℃宽温工作，具备ESD防护能力（HBM > 8kV），适合高可靠性要求场景。整体以高集成度、小尺寸、易用性为核心优势。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 250MW SC89 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PDTC123EEF,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 20mA，5V |
| 供应商器件封装 | SC-89 |
| 其它名称 | 568-2151-1 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-89，SOT-490 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 2.2k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 频率-跃迁 | - |
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