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产品简介:
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PDTC115TK,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款数字晶体管(内置偏置电阻的NPN型双极结型晶体管,即预偏置BJT),常用于简化电路设计、减少外围元件数量。其典型应用场景包括: - 逻辑电平接口与信号切换:适用于微控制器(如ARM、AVR、PIC等)GPIO引脚驱动LED、小型继电器、蜂鸣器或MOSFET栅极,实现电平转换与开关控制;因内置10kΩ基极上拉电阻和10kΩ基极-发射极下拉电阻(R₁=R₂=10kΩ),可直接接受3.3V/5V TTL/CMOS逻辑信号,无需外接偏置电阻。 - 低功耗开关应用:最大连续集电极电流IC为100mA,典型饱和压降VCE(sat)低至0.1V(IC=10mA, IB=0.1mA),适合电池供电设备中的负载开关,如便携式仪表、IoT传感器节点的电源管理模块。 - 反相器与简单逻辑功能:可构建非门、缓冲器等基础逻辑单元,用于板级状态指示或信号整形。 - 汽车电子与工业控制:符合AEC-Q101标准(该型号为车规级版本),适用于车载LED照明控制、车身控制模块(BCM)中的小功率负载驱动及故障检测电路。 封装为SOT-23(3引脚),体积小、热性能优,支持自动化贴片生产。注意其不适用于线性放大或高频射频场景,仅推荐工作于开关模式。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | PDTC115TK,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 150mV @ 250µA, 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 1mA,5V |
| 产品目录绘图 |
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| 供应商器件封装 | SMT3 |
| 其它名称 | 568-2146-6 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 100k |
| 频率-跃迁 | - |