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产品简介:
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PBSS5320D,125 是 NXP USA Inc. 推出的 NPN 型双极结型晶体管(BJT),具有 20 V VCEO、3 A IC(连续)、200 MHz fT 及低饱和压降(VCE(sat) 典型值仅 0.14 V @ IC=2A, IB=0.2A)等特点,采用小型 SOT-23 封装,适合高效率、空间受限的开关应用。 典型应用场景包括: ✅ DC-DC 转换器中的功率开关(如升压/降压电路的同步整流或驱动级); ✅ 负载开关与电源管理(如 USB 端口保护、电池供电设备的负载通断控制); ✅ 电机/LED 驱动电路(驱动小型直流电机、继电器线圈或中等功率 LED 串); ✅ 逻辑电平转换与接口缓冲(兼容 3.3 V/5 V MCU 输出,驱动较高电流负载); ✅ 消费电子与工业控制板(打印机、POS 机、智能电表、IoT 设备中的高效、低成本开关节点)。 其低饱和压降和高电流能力可减少功耗与温升,SOT-23 封装便于自动化贴装与紧凑布局。不适用于线性放大或高频射频放大场景(非设计优化方向)。需注意:实际应用中应合理设计基极限流电阻,并在大电流下考虑 PCB 散热设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PNP 20V 3A LO-SAT 6TSOP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | PBSS5320D,125 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 400mV @ 300mA,3A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 150 @ 2A,2V |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | 934056921125 |
| 功率-最大值 | 750mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
| 晶体管类型 | PNP |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 20V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 3A |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 频率-跃迁 | 100MHz |