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  • 型号: P6SMB10AT3G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供P6SMB10AT3G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 P6SMB10AT3G价格参考。ON SemiconductorP6SMB10AT3G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载P6SMB10AT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有P6SMB10AT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

电路保护半导体

描述

TVS DIODE 8.55VWM 14.5VC SMBTVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 10V 600W Unidirectional

产品分类

TVS - 二极管分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,TVS二极管,TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器,ON Semiconductor P6SMB10AT3G-

数据手册

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产品型号

P6SMB10AT3G

PCN组件/产地

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不同频率时的电容

1690pF @ 1MHz

产品种类

TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器

供应商器件封装

SMB

其它名称

P6SMB10AT3G-ND
P6SMB10AT3GOSTR

击穿电压

9.5 V

功率-峰值脉冲

600W

包装

带卷 (TR)

单向通道

1

双向通道

-

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

DO-214AA,SMB

封装/箱体

DO-214AA

尺寸

3.56 mm W x 4.32 mm L

峰值浪涌电流

41 A

峰值脉冲功率耗散

600 W

工作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

工作电压

8.55 V

工厂包装数量

2500

应用

通用

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 65 C

极性

Unidirectional

标准包装

2,500

电压-击穿(最小值)

9.5V

电压-反向关态(典型值)

8.55V

电压-箝位(最大值)@Ipp

14.5V

电流-峰值脉冲(10/1000µs)

41A (8/20µs)

电源线路保护

端接类型

SMD/SMT

类型

齐纳

系列

P6SMB6.8AT3G

钳位电压

14.5 V

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