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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供P6SMB10AT3G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 P6SMB10AT3G价格参考。ON SemiconductorP6SMB10AT3G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载P6SMB10AT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有P6SMB10AT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为P6SMB10AT3G的TVS(瞬态电压抑制)二极管由Littelfuse Inc.生产,主要应用于电路中以保护敏感电子元件免受静电放电(ESD)、雷击浪涌、电感负载切换等引起的瞬态电压冲击。该器件具有快速响应时间和高浪涌吸收能力,适用于多种电子系统的保护场合。 典型应用场景包括: 1. 通信设备:用于保护以太网接口、USB端口、RS-485等通信线路,防止外部瞬态电压对收发芯片造成损坏。 2. 工业控制系统:在PLC、变频器、传感器等设备中,用于保护输入输出接口免受工业环境中常见的电感性负载切换所引起的电压尖峰。 3. 消费类电子产品:如电视、机顶盒、智能家电等产品中,用于保护电源输入端和外部接口。 4. 汽车电子:用于车载电源系统、CAN总线通信线路等,防止汽车启动、熄火或静电放电造成的电压浪涌。 5. 电源模块:用于AC/DC、DC/DC电源转换模块的输入输出端口,提升系统稳定性与可靠性。 P6SMB10AT3G采用SMB表面贴装封装,便于自动化生产,适用于空间受限的设计。其额定击穿电压为10V,适合用于保护5V至9V工作电压范围内的电路系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护半导体 |
| 描述 | TVS DIODE 8.55VWM 14.5VC SMBTVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 10V 600W Unidirectional |
| 产品分类 | TVS - 二极管分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,TVS二极管,TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器,ON Semiconductor P6SMB10AT3G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | P6SMB10AT3G |
| PCN组件/产地 | |
| 不同频率时的电容 | 1690pF @ 1MHz |
| 产品种类 | TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 |
| 供应商器件封装 | SMB |
| 其它名称 | P6SMB10AT3G-ND |
| 击穿电压 | 9.5 V |
| 功率-峰值脉冲 | 600W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | DO-214AA,SMB |
| 封装/箱体 | DO-214AA |
| 尺寸 | 3.56 mm W x 4.32 mm L |
| 峰值浪涌电流 | 41 A |
| 峰值脉冲功率耗散 | 600 W |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| 工作电压 | 8.55 V |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 应用 | 通用 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 极性 | Unidirectional |
| 标准包装 | 2,500 |
| 电压-击穿(最小值) | 9.5V |
| 电压-反向关态(典型值) | 8.55V |
| 电压-箝位(最大值)@Ipp | 14.5V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 41A (8/20µs) |
| 电源线路保护 | 无 |
| 端接类型 | SMD/SMT |
| 类型 | 齐纳 |
| 系列 | P6SMB6.8AT3G |
| 钳位电压 | 14.5 V |