Datasheet下载- 型号： NUP4000DR2G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NUP4000DR2G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NUP4000DR2G价格参考。ON SemiconductorNUP4000DR2G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NUP4000DR2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NUP4000DR2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NUP4000DR2G 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款 TVS（瞬态电压抑制器）二极管，属于保护器件。它主要用于保护电子电路免受过电压瞬变的损害，例如静电放电 (ESD)、雷击感应浪涌和开关噪声等。 以下是 NUP4000DR2G 的典型应用场景： 1. 消费类电子产品 - 用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑等设备中的 USB 接口、HDMI 接口和其他数据传输接口的保护。 - 防止因插拔操作或外部干扰引起的 ESD 和浪涌损坏。 2. 通信设备 - 在路由器、交换机、调制解调器等网络设备中保护信号线路。 - 抑制由于雷击或其他瞬态事件引起的电压尖峰。 3. 工业控制 - 为工业自动化设备中的传感器、控制器和通信模块提供保护。 - 防止因恶劣环境下的电气干扰导致的设备故障。 4. 汽车电子 - 应用于车载信息娱乐系统、导航系统和 CAN/LIN 总线接口的保护。 - 提高汽车电子系统的抗干扰能力和可靠性。 5. 电源管理 - 在 AC/DC 或 DC/DC 转换器中保护输入/输出端口免受过压冲击。 - 确保电源系统的稳定运行。 6. 物联网 (IoT) 设备 - 为无线模块（如 Wi-Fi、蓝牙、Zigbee）和传感器节点提供 ESD 和浪涌保护。 - 增强 IoT 设备在复杂电磁环境中的鲁棒性。 NUP4000DR2G 的主要特性包括低电容、快速响应时间和高浪涌承受能力，使其非常适合高速信号线路和敏感电子设备的保护需求。通过集成该器件，可以显著提高产品的可靠性和使用寿命。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 15VWM 30VC 8SOIC |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NUP4000DR2G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | 75pF @ 1MHz |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 功率-峰值脉冲 | 400W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单向通道 | - |
| 双向通道 | 4 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 电压-击穿（最小值） | 16.7V |
| 电压-反向关态（典型值） | 15V （最小值） |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 30V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 10A （8/20µs） |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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