Datasheet下载- 型号： NTP5426NG
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTP5426NG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTP5426NG价格参考。ON SemiconductorNTP5426NG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTP5426NG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTP5426NG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTP5426NG 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 26 mΩ @ VGS = 10 V）、额定电压60 V、连续漏极电流高达80 A（TC = 25°C），具备良好的开关性能与热稳定性。 其典型应用场景包括： ✅ DC-DC电源转换器：如降压（Buck）拓扑中的主开关管，适用于通信电源、服务器电源及工业电源模块； ✅ 电机驱动电路：用于中小功率直流电机或步进电机的H桥驱动，尤其适合12–48 V供电系统； ✅ 电池管理系统（BMS）：作为充放电保护开关或负载开关，利用其低RDS(on)减小功耗与温升； ✅ LED照明驱动：在恒流驱动或调光控制中用作PWM高速开关； ✅ 逆变器与UPS系统：在低压输入（如12/24 V）离线式逆变器中承担高频开关功能； ✅ 汽车电子辅助系统：符合AEC-Q101应力测试标准（注：NTP5426NG为工业级，非车规；若需车规应用，应选用安森美对应AEC-Q101认证型号如NVTSx系列）。 该器件支持逻辑电平驱动（VGS(th)低至1–2.5 V），可直接由MCU或驱动IC控制，简化外围设计。其坚固的体二极管特性也适用于续流和反向阻断场景。注意实际应用中需配合合理散热设计（如加装散热片）以保障长期可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTP5426NG |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5800pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 170nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6 毫欧 @ 60A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 功率-最大值 | 215W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Tc） |
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