Datasheet下载- 型号： NTLJD3183CZTBG
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTLJD3183CZTBG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTLJD3183CZTBG价格参考。ON SemiconductorNTLJD3183CZTBG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTLJD3183CZTBG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTLJD3183CZTBG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTLJD3183CZTBG 是安森美（ON Semiconductor）推出的双通道、N沟道增强型功率MOSFET阵列，采用超小型2×2mm DFN-6封装，具有低导通电阻（典型Rds(on) = 24mΩ @ Vgs=4.5V）、低栅极电荷及逻辑电平驱动能力（Vgs(th)低至0.5–1.2V），支持3.3V/5V微控制器直接驱动。 其典型应用场景包括： ✅ 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关与电池保护电路，利用双MOSFET结构实现高效充放电路径控制或反向电流阻断； ✅ DC-DC转换器同步整流：在升压/降压模块中作为同步整流管，提升转换效率并减小发热； ✅ LED背光与RGB驱动：双通道可独立控制多路LED串，适用于小型显示屏或照明模块； ✅ H桥电机驱动（低功率）：配合外部驱动逻辑，用于微型振动马达、小风扇或摄像头OIS执行器的双向控制； ✅ USB Type-C接口保护与切换：集成双MOSFET便于实现VBUS开关、过流隔离及正反插检测路径控制。 该器件具备ESD防护（HBM ±2kV）、无铅且符合RoHS标准，适合高密度、空间受限的消费类和物联网终端设计。需注意其额定电压为20V（Vds），连续漏极电流为2.6A（Ta=25°C），不适用于高压或大功率工业场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET COMPL 20V LOW PRO 6WDFN |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTLJD3183CZTBG |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 355pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 68 毫欧 @ 2A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-WDFN（2x2） |
| 功率-最大值 | 710mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.6A，2.2A |
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