Datasheet下载- 型号： NTD4865N-1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD4865N-1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD4865N-1G价格参考。ON SemiconductorNTD4865N-1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD4865N-1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD4865N-1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD4865N-1G 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252（DPAK）封装，具有低导通电阻（RDS(on)典型值仅11.5 mΩ @ VGS=10V）、高连续漏极电流（ID=75A）及优良的开关性能。其主要应用场景包括： - DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK转换器，提升效率并降低温升； - 电机驱动：适用于中小功率直流电机、步进电机驱动电路中的H桥或单边开关，支持高频PWM调速； - 负载开关与电源管理：在笔记本电脑、打印机、POS终端等设备中作为高效、低损耗的主电源/模块供电开关； - LED照明驱动：用于恒流驱动电路或调光控制中的功率开关元件； - 电池管理系统（BMS）：在便携式设备或轻型储能系统中承担充放电路径控制与保护功能。 该器件具备100% UIS（非钳位感性开关）能力与强雪崩耐受性，可靠性高；符合RoHS标准，适合对能效、热性能和空间有要求的中高功率应用。需注意合理设计PCB散热焊盘及栅极驱动（推荐10–12V驱动电压以确保充分导通）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 8.5A IPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTD4865N-1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 827pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10.8nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 10.9 毫欧 @ 30A，10V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 1.27W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8.5A （Ta）， 44A （Tc） |
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