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- 型号： NTD4809N-1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD4809N-1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD4809N-1G价格参考。ON SemiconductorNTD4809N-1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD4809N-1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD4809N-1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD4809N-1G 是安森美（onsemi）推出的 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET，采用 DPAK（TO-252）封装，具有低导通电阻（Rds(on) 典型值 16 mΩ @ Vgs=10V，22 mΩ @ Vgs=4.5V）、高电流能力（ID=7.5A，脉冲可达 30A）及快速开关特性。 其典型应用场景包括： • DC-DC 电源转换：广泛用于同步降压转换器（Buck Converter）的下管（low-side switch），尤其适用于 5V 或 3.3V 逻辑电平驱动的中功率电源模块（如笔记本适配器、主板 VRM、PoE 供电设备）。 • 负载开关与电源管理：在便携设备（如打印机、机顶盒、网络路由器）中用作电池保护、热插拔控制或外设供电通断控制。 • 电机驱动：适用于小功率直流电机（如风扇、泵、小型机器人关节）的 H 桥下桥臂或单向驱动开关。 • LED 照明驱动：用于恒流/调光电路中的 PWM 开关元件，支持高频调光且功耗低。 该器件具备良好的热性能（RθJA ≈ 60°C/W）和雪崩耐量（UIS rated），适合工业级温度范围（–55°C 至 +175°C），兼顾可靠性与成本效益。需注意 PCB 散热设计，并确保栅极驱动电压稳定（推荐 4.5V~10V），以充分发挥其低 Rds(on) 优势。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 9A IPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTD4809N-1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1456pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9 毫欧 @ 30A，10V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9.6A （Ta）， 58A （Tc） |
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