ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 > PEMH1,115
Datasheet下载- 型号： PEMH1,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PEMH1,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PEMH1,115价格参考。NXP SemiconductorsPEMH1,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666。您可以下载PEMH1,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PEMH1,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PEMH1,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极结型晶体管（BJT）预偏置阵列（Dual NPN，带内置基极-发射极电阻），常用于中小功率、高可靠性、简化设计的数字开关与信号电平转换场景。其典型应用场景包括： 1. 微控制器I/O口驱动扩展：因内置R₁（2.2kΩ）和R₂（10kΩ）偏置电阻，可直接连接MCU GPIO，无需外置偏置电路，驱动LED、小型继电器或逻辑门输入； 2. 数字信号电平转换/缓冲：在3.3V MCU与5V逻辑系统间实现安全、低延迟的单向电平适配（如将3.3V信号转为5V兼容输出）； 3. 电源管理中的使能/复位控制：用于LDO使能端、DC-DC转换器EN脚的上拉/反相控制，提升系统启动时序可靠性； 4. 工业与消费类电子接口保护电路：配合TVS或限流电阻，构成抗干扰强、响应快的输入信号调理单元（如按钮去抖、传感器信号整形）。 该器件采用SOT-666封装，体积小、热性能好，支持-55°C至+150°C工作温度，适用于汽车电子（AEC-Q101认证版本）、工业控制及IoT终端等对空间、可靠性和BOM精简有要求的场景。注意：不适用于线性放大或高频射频应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT666 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PEMH1,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 60 @ 5mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 934056862115 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 频率-跃迁 | - |
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