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  • 型号: NSS12200LT1G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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NSS12200LT1G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NSS12200LT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSS12200LT1G价格参考。ON SemiconductorNSS12200LT1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP 12V 2A 100MHz 460mW 表面贴装 SOT-23-3(TO-236)。您可以下载NSS12200LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NSS12200LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor(安森美)的NSS12200LT1G是一款NPN型双极结型晶体管(BJT),属于小信号通用晶体管,广泛应用于各类电子电路中。其主要应用场景包括:

1. 开关电路:NSS12200LT1G具有快速开关特性,常用于电源管理、LED驱动、继电器控制等低功率开关应用中,能够高效地实现通断控制。

2. 信号放大:在音频设备、传感器信号调理和模拟前端电路中,该晶体管可用于小信号放大,提升微弱电信号的强度。

3. 逻辑电平转换:在数字电路中,常用于不同电压逻辑之间的电平转换,例如将3.3V信号转换为5V信号,确保系统间信号兼容。

4. 消费类电子产品:广泛应用于手机配件、智能家居设备、便携式电子设备等,因其小型化封装(SOT-23)、高可靠性和低成本,适合高密度集成设计。

5. 工业控制与汽车电子:由于安森美产品符合AEC-Q101车规标准,NSS12200LT1G也适用于汽车内部的非动力系统,如车载传感器接口、照明控制模块等。

该晶体管具有低饱和压降、高电流增益和良好的热稳定性,适合在宽温度范围内稳定工作。其绿色环保设计(无铅、符合RoHS)也符合现代环保要求。总体而言,NSS12200LT1G是一款性能稳定、应用广泛的通用型小信号BJT,适用于多种中低频、低功率场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANSISTOR PNP 2A 12V SOT-23

产品分类

晶体管(BJT) - 单路

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

NSS12200LT1G

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

180mV @ 200mA,2A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

250 @ 500mA,2V

供应商器件封装

SOT-23-3(TO-236)

其它名称

NSS12200LT1GOSCT

功率-最大值

460mW

包装

剪切带 (CT)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

晶体管类型

PNP

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

12V

电流-集电极(Ic)(最大值)

2A

电流-集电极截止(最大值)

-

频率-跃迁

100MHz

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