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产品简介:
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2SC3646S-P-TD-E 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极型晶体管(BJT),属于 NPN 型晶体管。该型号的晶体管通常应用于以下场景: 1. 音频放大器: 2SC3646S-P-TD-E 具有较高的增益和良好的频率响应特性,适合用于音频信号放大电路中。它可以作为前置放大器或功率放大器的一部分,提供高保真音质输出。 2. 开关电路: 由于其快速开关特性和低饱和电压,这款晶体管可以用于各种开关应用,例如继电器驱动、LED 驱动以及小型电机控制等场景。 3. 射频(RF)和高频应用: 该晶体管具有较高的截止频率(ft),适用于一些射频前端模块中的小信号放大或混频操作。它可以在无线通信设备、调制解调器或其他高频电路中发挥作用。 4. 电源管理: 在直流-直流转换器或线性稳压器中,2SC3646S-P-TD-E 可以用作电流调节元件或保护电路的一部分,确保系统稳定运行并防止过载。 5. 传感器信号调理: 对于需要对微弱模拟信号进行放大的场合(如温度传感器、压力传感器等),这款晶体管能够提供足够的增益来提升信号电平,以便后续处理。 6. 工业自动化与控制: 在工业领域中,该晶体管可用于实现逻辑电平转换、隔离驱动等功能,支持 PLC 控制器、机器人臂运动控制以及其他精密仪器的操作。 总之,2SC3646S-P-TD-E 凭借其优异的电气性能,在消费电子、通信设备、汽车电子及工业控制等多个领域有着广泛的应用潜力。选择具体应用场景时,需根据实际需求考虑其工作条件是否满足设计要求。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS NPN BIPO 1A 100V |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | 2SC3646S-P-TD-E |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 400mV @ 40mA,400mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 140 @ 100mA,5V |
供应商器件封装 | PCP |
功率-最大值 | 500mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-243AA |
晶体管类型 | NPN |
标准包装 | 1,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 100V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 1A |
电流-集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
频率-跃迁 | 120MHz |