Datasheet下载- 型号： ZXT13N50DE6TA
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXT13N50DE6TA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXT13N50DE6TA价格参考。Diodes Inc.ZXT13N50DE6TA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ZXT13N50DE6TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXT13N50DE6TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZXT13N50DE6TA 是由 Diodes Incorporated 生产的一款双极型晶体管（BJT），属于单晶体管类别。其主要应用场景包括： 1. 开关应用：该型号的 BJT 可用于各种开关电路中，例如继电器驱动、LED 驱动和电机控制等。在这些应用中，晶体管作为电子开关工作，在导通和截止状态之间切换，从而控制负载的通断。 2. 信号放大：ZXT13N50DE6TA 适合用作小信号放大器，可用于音频设备、传感器信号调理和其他需要低失真和高增益的应用场合。其优良的电流增益特性使其能够有效地放大输入信号。 3. 电源管理：在一些简单的线性稳压器或电流源设计中，该晶体管可以起到关键作用。它可以通过调整输出电流来维持稳定的电压水平，适用于便携式设备或低功耗系统中的电源管理。 4. 保护电路：此型号还可以用于过流保护、短路保护等安全相关的电路设计中。通过监测电流变化并及时切断异常路径，确保整个系统的稳定运行。 5. 高频应用：尽管 ZXT13N50DE6TA 主要针对低频应用优化，但在某些特定条件下，它也可以应用于较低频率范围内的射频（RF）电路中，如振荡器、混频器等。 总之，ZXT13N50DE6TA 凭借其出色的电气性能和可靠性，广泛适用于工业控制、消费类电子产品、通信设备以及汽车电子等领域中的多种电路设计需求。具体选择时需根据实际工作条件（如电压、电流、频率等参数要求）进行评估以确定是否符合项目需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN LO SAT 50V 4A SOT23-6两极晶体管 - BJT NPN 50V Low Sat |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated ZXT13N50DE6TA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZXT13N50DE6TA |
| PCN其它 | |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 180mV @ 400mA，4A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 300 @ 1A，2V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-23-6 |
| 其它名称 | ZXT13N50DE6TR |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 7.5 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 115 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 |
| 封装/箱体 | SOT-23-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 1.1 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 4 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 4A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA |
| 直流电流增益hFE最大值 | 250 at 10 mA at 2 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 250 at 10 mA at 2 V, 300 at 1 A at 2 V, 100 at 4 A at 2 V, 10 at 10 A at 2 V |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 100 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 145 mV |
| 集电极连续电流 | 4 A |
| 频率-跃迁 | 115MHz |
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