Datasheet下载- 型号： BD433S
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BD433S由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BD433S价格参考。Fairchild SemiconductorBD433S封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BD433S参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BD433S 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BD433S是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款NPN型双极性晶体管（BJT），常用于中功率开关和放大电路。其应用场景主要包括： 1. 电源开关电路：BD433S具备较高的电流和电压承受能力，适合用于中功率开关应用，如继电器、电机和灯泡的驱动电路。 2. 电机驱动：在小型电机或直流电机控制电路中，BD433S可作为开关元件，控制电机的启停与方向。 3. 音频放大器：该晶体管可用于音频功率放大电路中的驱动级或输出级，适用于低频放大应用。 4. 工业控制：在工业自动化设备中，BD433S可用于控制执行器、电磁阀等负载。 5. 汽车电子：该器件符合汽车行业标准，适用于汽车中的电机控制、灯光系统及电源管理系统。 6. 消费类电子产品：如电视、音响设备、充电器等产品中，作为功率开关或信号放大元件。 BD433S采用TO-92封装，具备良好的稳定性和可靠性，适合通孔安装，广泛应用于各类中功率电子设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR NPN 22V 4A TO-126两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor BD433S- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BD433S |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 500mV @ 200mA，2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 40 @ 10mA，5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TO-126 |
| 功率-最大值 | 36W |
| 包装 | 散装 |
| 单位重量 | 761 mg |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 3 MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-225AA，TO-126-3 |
| 封装/箱体 | TO-126 |
| 工厂包装数量 | 250 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 36 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 4 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 22V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 4A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100µA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 40 |
| 系列 | BD433 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 22 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 22 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.2 V |
| 集电极连续电流 | 4 A |
| 频率-跃迁 | 3MHz |
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