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- 型号： NSBC123JDXV6T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBC123JDXV6T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBC123JDXV6T1G价格参考。ON SemiconductorNSBC123JDXV6T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBC123JDXV6T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBC123JDXV6T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSBC123JDXV6T1G 是安森美（ON Semiconductor）推出的双极结型晶体管（BJT）阵列，内置电阻偏置（预偏置），采用SOT-563封装（6引脚），内含两个独立的NPN晶体管（双通道），每路均集成基极-发射极和基极-集电极偏置电阻（典型R1 = R2 = 2.2 kΩ），支持直接逻辑电平驱动，无需外接偏置电阻。 典型应用场景包括： 1. 数字逻辑接口电平转换与信号缓冲：用于MCU、FPGA或门电路驱动LED、继电器、小功率MOSFET栅极等，简化外围电路设计； 2. LED驱动：常用于多段LED数码管、状态指示灯的恒流/开关驱动，尤其适合空间受限的便携设备； 3. 负载开关与电源管理：作为低功耗使能开关控制DC-DC转换器、传感器模块等子系统的供电通断； 4. 工业I/O模块：在PLC输入/输出端口中实现光电耦合器后级驱动或继电器驱动，提升抗干扰能力与可靠性； 5. 消费电子待机控制电路：如TV、机顶盒中的遥控信号接收、唤醒电路，利用其低饱和压降（VCE(sat) ≈ 0.15 V @ IC = 10 mA）和高直流电流增益（hFE ≥ 80），兼顾效率与响应速度。 该器件具备ESD保护（HBM > 4 kV）、宽工作温度范围（–55°C 至 +150°C）及AEC-Q101认证，亦适用于汽车电子中的车身控制模块（BCM）等非安全关键场景。其预偏置结构显著减少PCB面积与BOM成本，提升量产一致性与装配可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT563 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBC123JDXV6T1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | NSBC123JDXV6T1GOSCT |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 频率-跃迁 | - |
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