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- 型号： NP80N04MLG-S18-AY
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NP80N04MLG-S18-AY由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NP80N04MLG-S18-AY价格参考。RENESAS ELECTRONICSNP80N04MLG-S18-AY封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NP80N04MLG-S18-AY参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NP80N04MLG-S18-AY 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NP80N04MLG-S18-AY 是一款由 Vishay（威世）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-252（DPAK）封装，典型参数为：VDS = 40 V，ID（连续）= 80 A，RDS(on) ≈ 3.2 mΩ（@ VGS = 10 V），具备低导通损耗和优良热性能。 该器件主要应用于中高电流、中低压直流开关场景，典型用途包括： ✅ DC-DC 电源转换：如车载充电器（OBC）、服务器/通信电源中的同步整流、BUCK 降压电路主开关管； ✅ 电机驱动：用于电动工具、无人机电调（ESC）、风扇/泵类 BLDC 或有刷电机的 H 桥下桥臂或单向驱动； ✅ 电池管理系统（BMS）：作为电池保护电路中的充放电主控开关（支持大电流通断与过流保护）； ✅ 工业控制与负载开关：PLC 输出模块、LED 驱动电源、智能插座等需高效、快速通断的固态开关应用； ✅ 汽车电子辅助系统：符合 AEC-Q101 认证（注：需确认具体批次是否带-AE后缀；S18-AY 型号通常为工业级，部分版本可满足车规要求），适用于车身控制模块（BCM）、座椅/车窗驱动等12 V/24 V系统。 其低 RDS(on) 和优化的栅极电荷（Qg ≈ 75 nC）兼顾效率与开关速度，适合高频（数十kHz至百kHz级）PWM 工作。注意实际应用中需合理设计 PCB 散热焊盘及驱动电路，避免雪崩失效或热失控。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 80A TO-220 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NP80N04MLG-S18-AY |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6900pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 135nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.8 毫欧 @ 40A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 功率-最大值 | 1.8W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 80A （Tc） |
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![](https://productimg.icgoo.net/product-img/3m_photos/ITCSN-0800-6"-BLACK-12-3 PC PKS.jpg)
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