图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： NDD60N360U1T4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NDD60N360U1T4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NDD60N360U1T4G价格参考。ON SemiconductorNDD60N360U1T4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NDD60N360U1T4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NDD60N360U1T4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NDD60N360U1T4G 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用高可靠性U1封装（TO-220AB变体，带绝缘片），具有60V耐压、360A连续漏极电流（Tc=25℃）、极低导通电阻（RDS(on)典型值仅1.7mΩ @ VGS=10V），并具备强健的雪崩耐量与快速开关特性。 其典型应用场景包括： ✅ 大电流DC-DC转换器：如服务器/通信电源中的同步整流BUCK电路，利用其低RDS(on)显著降低导通损耗，提升能效。 ✅ 电动工具与电池供电设备：在12V–48V电池系统中用作主功率开关或电机驱动H桥的下管，支持高脉冲电流（IDM达1000A）和频繁启停。 ✅ 工业电机控制与PLC输出模块：驱动直流无刷（BLDC）或步进电机，配合栅极驱动IC实现高效PWM调速。 ✅ 汽车电子辅助系统：适用于符合AEC-Q101标准的车载负载开关（如座椅调节、车窗升降、冷却风扇控制），但需注意该型号为标准级（非车规），实际车用需确认具体认证版本。 ✅ 不间断电源（UPS）与储能系统（ESS）：用于电池充放电回路中的高压侧/低压侧开关，兼顾效率与热管理。 该器件强调高功率密度与热稳定性，建议搭配低热阻散热器及优化PCB铜箔铺铜设计。选型时需关注其10V驱动要求及米勒平台电压，确保驱动能力充足以避免开关振荡。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 114A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NDD60N360U1T4G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 790pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 26nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 360 毫欧 @ 5.5A，10V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 114W |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11A （Tc） |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
NDD60N360U1T4G 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商