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详细数据请看参考数据手册
- 型号： N2M400FDB311A3CE
- 制造商： Micron Technology Inc
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供N2M400FDB311A3CE由Micron Technology Inc设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 N2M400FDB311A3CE价格参考。Micron Technology IncN2M400FDB311A3CE封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载N2M400FDB311A3CE参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有N2M400FDB311A3CE 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Micron Technology Inc.（美光科技）生产的存储器型号N2M400FDB311A3CE是一款高性能的DRAM模块，主要应用于以下场景： 1. 服务器和数据中心 - 该型号的存储器适用于高性能计算环境，如企业级服务器和数据中心。其高容量和低延迟特性能够满足大规模数据处理需求。 - 支持虚拟化技术、云计算服务以及大数据分析等任务。 2. 网络设备 - 用于路由器、交换机和其他网络基础设施设备中，提供快速的数据传输和缓存能力，确保网络通信的高效性和稳定性。 3. 工作站 - 在高端工作站中使用，支持复杂的图形处理、科学计算和工程设计任务，例如3D建模、视频编辑和CAD/CAM应用。 4. 人工智能与机器学习 - 为AI训练和推理任务提供充足的内存带宽，加速深度学习算法的运行速度。 5. 嵌入式系统 - 应用于需要高可靠性和高性能的嵌入式设备，如工业自动化控制、医疗成像设备和航空航天领域。 6. 高性能计算（HPC） - 在超级计算机和其他高性能计算系统中，该存储器可以显著提升计算性能，支持复杂的模拟和建模任务。 这款存储器以其卓越的稳定性和可靠性著称，特别适合对性能要求极高的应用场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC FLASH 32GBIT |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Micron Technology Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | N2M400FDB311A3CE |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 100-LBGA （14x18） |
| 其它名称 | 557-1618 |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | 闪存 - NAND |
| 存储容量 | 32G（4G x 8） |
| 封装/外壳 | 100-LBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | MMC，SPI |
| 标准包装 | 588 |
| 格式-存储器 | 闪存 |
| 电压-电源 | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 速度 | - |
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