图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： MTD6N10E1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MTD6N10E1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MTD6N10E1价格参考。ON SemiconductorMTD6N10E1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MTD6N10E1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MTD6N10E1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MTD6N10E1 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型MOSFET，采用TO-252（DPAK）表面贴装封装，额定参数为：VDS = 100 V，ID（连续）= 6 A（TC = 25°C），RDS(on) 典型值仅0.28 Ω（VGS = 10 V），具备低导通损耗与良好开关性能。 该器件主要适用于中低压、中电流的直流电源管理与功率控制场景，典型应用包括： ✅ DC-DC转换器（如Buck、Boost拓扑中的同步整流或主开关管）； ✅ 电机驱动电路（如小功率直流风扇、步进/有刷电机的H桥下管或单路驱动）； ✅ LED恒流驱动与调光控制（作为PWM开关管，实现高效调光）； ✅ 电源适配器与充电器中的次级侧开关或负载开关； ✅ 工业控制板、智能电表、家电（如微波炉、洗衣机）中的继电器替代方案（固态开关），提升可靠性与寿命。 其TO-252封装兼顾散热性与PCB空间限制，适合自动化贴片生产；内置ESD保护与雪崩耐受能力（UIS rated），增强了系统鲁棒性。需注意：实际使用中应合理设计栅极驱动（避免振荡）、提供足够散热（尤其在持续导通或高频开关时），并确保VGS驱动电压≥4.5 V以充分导通（逻辑电平兼容，但10 V驱动可优化RDS(on)）。 综上，MTD6N10E1是高性价比、易用性强的通用型功率MOSFET，广泛用于消费电子、工业电源及电机控制等对效率、尺寸和成本敏感的中功率应用。
产品参数
图文手册
常见问题
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
MTD6N10E1 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商