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产品简介:
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Micron Technology Inc. 的存储器产品 MT41J512M4HX-187E:D 是一款高性能的DRAM(动态随机存取存储器)模块,广泛应用于需要高速数据处理和大容量内存支持的场景。 该型号属于DDR3 SDRAM类型,具有较高的频率和较低的延迟特性,适用于服务器、工作站、高端个人电脑及工业控制系统等对稳定性与性能要求较高的设备。在数据中心中,它可提升服务器的数据处理效率,支撑云计算、大数据分析等应用;在工业领域,可用于自动化控制设备和嵌入式系统,保障长时间运行的稳定性;在高端PC或图形工作站中,则能显著增强多任务处理、视频渲染及大型软件运行的表现力。 此外,由于其可靠性和兼容性较强,也适合用于网络设备、通信基础设施等领域,如路由器、交换机等,以满足高带宽和低延迟的数据传输需求。 总之,MT41J512M4HX-187E:D是一款面向高性能计算和稳定运行需求的应用广泛的内存产品,适用于企业级、工业级及高端消费类电子产品场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC DDR3 SDRAM 2GBIT 533MHZ 78BGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Micron Technology Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MT41J512M4HX-187E:D |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 78-FBGA(9x11.5) |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | DDR3 SDRAM |
| 存储容量 | 2G(512M x 4) |
| 封装/外壳 | 78-TFBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 95°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.425 V ~ 1.575 V |
| 速度 | 533MHz |