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- 型号： MSC2295-BT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MSC2295-BT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MSC2295-BT1G价格参考。ON SemiconductorMSC2295-BT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MSC2295-BT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MSC2295-BT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MSC2295-BT1G 是安森美（onsemi）推出的高性能射频双极结型晶体管（RF BJT），专为高频、高增益、低噪声应用优化。其典型应用场景包括： - VHF/UHF频段无线通信设备：如对讲机、业余电台、车载无线电等，工作频率可达约500 MHz，适用于发射末级或驱动级放大。 - 射频功率放大器（PA）：在小信号至中功率（输出功率约1–2 W连续波）场景中，用作线性放大器，支持FM、AM、FSK等调制方式。 - 工业与安防射频模块：如无线传感器网络节点、遥控遥测系统、RFID读写器的射频前端。 - 测试与测量仪器：作为宽带射频信号发生器、扫频仪或接收机前端的低噪声放大（LNA）或缓冲放大级（需配合偏置电路优化噪声系数与增益）。 该器件采用SOT-23封装，体积小、热性能良好，支持直流至甚高频（DC–500 MHz）宽频带工作；具备高fT（典型值2.5 GHz）、低噪声系数（NF ≈ 2.5 dB @ 100 MHz）及良好增益平坦度，适合对成本敏感且需稳定模拟射频性能的中低端应用。不适用于5G毫米波或大功率基站等场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS NPN RF BIPO 20V SC-59 |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MSC2295-BT1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 70 @ 1mA，10V |
| 供应商器件封装 | SC-59 |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | - |
| 增益 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 20V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 30mA |
| 频率-跃迁 | 150MHz |
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