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产品简介:
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MRFG35005NT1 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能 GaAs pHEMT 射频功率MOSFET(常归类为射频晶体管),工作频率范围典型为 4.9–5.9 GHz,专为5 GHz频段无线通信系统优化。其主要应用场景包括: - Wi-Fi 5/6 基站与接入点(AP):用于5 GHz Wi-Fi(802.11a/n/ac/ax)射频前端的末级功率放大器(PA),支持高线性度与高效率,满足OFDM信号严苛的ACPR和EVM要求; - 小型蜂窝基站(Small Cell):适用于室内微基站、企业级pico/femto基站的5 GHz回传或用户面射频功放模块; - 点对点短距无线回传(5 GHz ISM/U-NII频段):如WLAN桥接、无线视频传输等需中等输出功率(典型P1dB ≈ 29 dBm,Psat > 31 dBm)与良好热稳定性的场景; - 测试仪器与射频模块开发:作为评估板核心器件,用于5G Wi-Fi射频设计验证、PA线性化算法(DPD)研究及EMC预兼容测试平台。 该器件采用SOT-89封装(NT1后缀),集成ESD保护,具备优良的增益(Gps > 13 dB)、高功率附加效率(PAE > 30%),并支持+5 V单电源供电,便于简化射频前端设计。不适用于低频开关或DC/DC应用,亦非硅基通用MOSFET,须配合匹配网络与散热设计使用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF 3.5GHZ 4.5W 12V 1.5PLD |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRFG35005NT1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | PLD-1.5 |
| 功率-输出 | 4.5W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 11dB |
| 封装/外壳 | PLD-1.5 |
| 晶体管类型 | pHEMT FET |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-测试 | 12V |
| 电压-额定 | 15V |
| 电流-测试 | 80mA |
| 频率 | 3.55GHz |
| 额定电流 | 1.7A |