【未分类_MRFE6S9200HSR3】封装/厂家_MRFE6S9200HSR3中文资料_价格

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型号： MRFE6S9200HSR3
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRFE6S9200HSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRFE6S9200HSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRFE6S9200HSR3封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRFE6S9200HSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRFE6S9200HSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRFE6S9200HSR3 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，专为高频、高功率射频放大应用设计。其典型工作频率范围为 1.8–2.0 GHz（支持 1800–2000 MHz 宽带），额定输出功率达 200 W（连续波，CW），具备高增益（约 17 dB）、高效率（典型漏极效率 >65%）和优异的热稳定性。

主要应用场景包括：  
- 蜂窝基站射频功率放大器（PA）：广泛用于 4G LTE 及 5G Sub-6 GHz 基站的末级功放模块，尤其适用于宏基站和分布式基站（DU/RRU）中的多载波宽带信号放大；  
- 无线通信基础设施：如中继站、微波回传设备及小型蜂窝（Small Cell）增强型功率放大方案；  
- 工业与广播射频系统：适用于 RFID 高功率读写器、ISM 频段（如 1900 MHz 工业加热、等离子体激励）等需稳定大功率射频输出的场景；  
- 测试与测量设备：作为信号源或功率放大模块，用于射频一致性测试、EMC 测试系统等。

该器件采用陶瓷封装（NI-780H），集成输入/输出匹配网络，支持高可靠性连续波及复杂调制信号（如 OFDM、256-QAM）放大，并具备出色的 VSWR 容限（可承受 10:1 负载失配），适合严苛商用环境。需配合NXP推荐的驱动级（如 MRFE6S9160）及优化散热设计（强制风冷或液冷）以发挥最佳性能。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET RF N-CH 58W 28V NI-880S
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRFE6S9200HSR3
PCN过时产品	http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14260.htm
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	NI-880S
功率-输出	58W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	21dB
封装/外壳	NI-880S
晶体管类型	LDMOS
标准包装	250
电压-测试	28V
电压-额定	66V
电流-测试	1.4A
频率	880MHz
额定电流	10µA