Datasheet下载- 型号： MRF9085LR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF9085LR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF9085LR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF9085LR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF9085LR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF9085LR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF9085LR3 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能射频（RF）LDMOS 功率晶体管，专为 869–960 MHz 频段设计（典型用于 GSM、EDGE、LTE-FDD/TDD 基站及中继系统）。其主要应用场景包括： - 蜂窝通信基站功率放大器（PA）：适用于宏基站和微基站的末级功放，支持多载波信号，在 900 MHz 频段下可提供高达 85 W（峰值）输出功率，具备高增益（约 17 dB）与高效率（典型 PAE > 65% @ P1dB），满足能效与散热严苛要求。 - 无线基础设施设备：如分布式天线系统（DAS）、小型基站（Small Cell）和直放站（Repeater），尤其适合需宽瞬时带宽、良好线性度及高可靠性运行的商用/工业级场景。 - ISM 及专网通信设备：在 902–928 MHz 等免许可频段，可用于工业无线遥控、公共安全通信、物联网（IoT）网关等对射频性能与长期稳定性有要求的系统。 该器件采用气腔陶瓷封装（LR3），具备优异热管理能力与高可靠性，支持连续波（CW）及复杂调制信号（如 OFDM、64-QAM）工作，并通过 AEC-Q200 可靠性认证（部分版本），亦适用于车载通信相关扩展应用。需配合匹配网络与偏置电路使用，典型工作电压为 +28 V。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-780 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF9085LR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780 |
| 功率-输出 | 105W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 17.9dB |
| 封装/外壳 | NI-780 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 26V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 700mA |
| 频率 | 880MHz |
| 额定电流 | 10µA |
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