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- 型号： MRF8P20160HSR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8P20160HSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8P20160HSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF8P20160HSR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF8P20160HSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8P20160HSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF8P20160HSR5 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频功率 LDMOS 晶体管，专为 2.0–2.2 GHz 频段设计（典型工作频段：2010–2025 MHz），常用于 5G 基站和宽带无线通信系统。其主要应用场景包括： - 5G 宏基站功率放大器（PA）：支持 TDD/FDD 架构，适用于 2.0 GHz 频段（如中国 n1/n41/n78 等），满足高线性度、高效率（典型 PAE > 55% @ 2.02 GHz）和宽瞬时带宽（≥ 100 MHz）需求； - 小基站（Small Cell）与分布式天线系统（DAS）：凭借高增益（>18 dB）和良好热稳定性，适用于中等功率（连续波输出达 160 W，脉冲模式更高）的紧凑型射频前端； - 宽带无线接入（如 WiMAX、LTE-Advanced）及公共安全通信系统：支持复杂调制（256-QAM, OFDM），具备优异的ACLR/IMD3性能，满足严苛的频谱掩模要求； - 工业/科研射频源：如EMC测试、等离子体发生、医疗射频设备中的固态功率放大模块。 该器件采用气腔陶瓷封装（SOT-1229），集成ESD保护与高可靠性设计，支持偏置电路简化与高效散热（需配合高性能散热器使用）。注意：实际应用中须严格遵循NXP推荐的匹配网络、偏置条件（Vds=28 V, Idq≈1.2 A）及PCB布局规范，以确保稳定性和长期可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DISCRETE RF FET |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF8P20160HSR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780HS-4 |
| 功率-输出 | 37W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 16.5dB |
| 封装/外壳 | NI-780HS-4 |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 550mA |
| 频率 | 1.92GHz |
| 额定电流 | - |
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