Datasheet下载- 型号： MRF7S38010HR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF7S38010HR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF7S38010HR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF7S38010HR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF7S38010HR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF7S38010HR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF7S38010HR5 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS MOSFET，专为 3.8 GHz 频段（典型工作频段：3.4–3.8 GHz）设计，采用高可靠性陶瓷封装（HR5），具备10 W 输出功率能力（连续波或脉冲模式）。其主要应用场景包括： - 5G Sub-6 GHz 基站射频功放：适用于大规模MIMO有源天线单元（AAU）和小型基站（Small Cell）中的末级功率放大器（PA），支持TDD-LTE及5G NR（n78频段）标准； - 无线通信基础设施：用于微波回传链路、专网通信（如公共安全宽带网络）、WLAN 6E扩展频段等中高频射频发射模块； - 雷达与电子对抗系统：在X波段以下的短距固态雷达、车载毫米波雷达前端（配合倍频链路）、以及军用/民用EW系统中作宽带中功率放大； - 工业与科研设备：如射频加热、等离子体激励、EMC测试信号源等需要稳定、高效3.8 GHz射频功率输出的场景。 该器件具备高增益（典型20 dB @ 3.5 GHz）、高效率（PAE > 45%）、良好热稳定性及内置ESD保护，支持偏置电路简化设计。需搭配匹配网络与散热方案（建议使用铜基PCB或金属底座散热）以发挥最佳性能。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 2W 30V NI-400 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF7S38010HR5 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14260.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-400-240 |
| 功率-输出 | 2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 15dB |
| 封装/外壳 | NI-400-240 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 30V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 160mA |
| 频率 | 3.4GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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