Datasheet下载- 型号： MRF7S19080HSR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF7S19080HSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF7S19080HSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF7S19080HSR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF7S19080HSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF7S19080HSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF7S19080HSR5 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS MOSFET，专为 1.9 GHz 频段（如 1805–1880 MHz）设计，典型工作频率覆盖 PCS、LTE 和 5G Sub-6 GHz 基站应用。其主要应用场景包括：宏基站和微基站的末级功率放大器（PA），尤其适用于多载波、高效率、宽带宽要求的通信系统；支持 Doherty 架构以提升平均效率；适用于 5G mMIMO（大规模多输入多输出）远端射频单元（RRU）中的射频功放模块；亦可用于无线基础设施中的中继器、直放站及小蜂窝（Small Cell）发射链路。该器件具备高增益（典型21 dB）、高输出功率（连续波下可达80 W，脉冲/平均功率适配LTE/5G调制信号）、高漏极效率（>65% @ 1.9 GHz）及优异的热稳定性和可靠性，满足严苛的基站长期运行需求。封装为无铅、RoHS 合规的 NI-780H-4L（带金属底座），便于高效散热。不适用于消费类或低功率终端设备（如手机、Wi-Fi路由器），而是面向专业无线通信基础设施领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH NI-780S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF7S19080HSR5 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14260.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780S |
| 功率-输出 | 24W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 18dB |
| 封装/外壳 | NI-780S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 750mA |
| 频率 | 1.93GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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