Datasheet下载- 型号： MRF6S21100HR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S21100HR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S21100HR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S21100HR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6S21100HR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S21100HR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6S21100HR5 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，专为 2.1–2.2 GHz 频段（如 PCS/UMTS/WCDMA/LTE 基站）设计。其典型应用场景包括： - 蜂窝通信基站功率放大器（PA）：广泛用于宏基站和分布式基站的末级功放，支持连续波（CW）及复杂调制信号（如 OFDM、WCDMA、LTE 20MHz 带宽），具备高增益（约 17 dB）、高效率（典型 55% 漏极效率）和优异线性度； - 无线基础设施设备：适用于 4G LTE 和部分 5G Sub-6 GHz 前传/中传系统中的射频收发模块，满足 ACLR（邻道泄漏比）和 EVM（误差矢量幅度）严苛指标； - 工业与广播应用：在雷达模拟器、射频加热源、医疗射频设备等需稳定高功率输出（100 W 额定输出功率，脉冲或连续工作）的场景中亦有应用。 该器件采用陶瓷封装（NI-780H），内置ESD保护与热增强结构，支持高可靠性运行（MTTF > 100万小时），适配大功率散热设计。需配合匹配网络、偏置电路及驱动级使用，常集成于多级PA模块中。注意：实际应用须严格遵循NXP官方参考设计（如 AN1955）及热管理规范，避免因过热或阻抗失配导致性能下降或失效。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CHAN 28V 23W NI-780 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF6S21100HR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780 |
| 功率-输出 | 23W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 15.9dB |
| 封装/外壳 | NI-780 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 950mA |
| 频率 | 2.11GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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