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- 型号： MRF6S19140HSR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S19140HSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S19140HSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S19140HSR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6S19140HSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S19140HSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6S19140HSR5 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，专为 1.9 GHz 频段（如 PCS/DCS 基站）设计，典型工作频率为 1930–1990 MHz。其主要应用场景包括： - 蜂窝通信基站功率放大器（PA）：广泛用于 2G/3G/4G（LTE）宏基站和微基站的末级射频功放模块，支持高线性度与高效率（在 1960 MHz、140 W 输出时典型效率达 65%）； - 无线基础设施设备：适用于多载波（MC-GSM、WCDMA、LTE）系统，具备优异的互调抑制（IMD）和邻道功率比（ACPR）性能，满足严苛的通信标准； - 工业与专用无线系统：如公共安全通信（TETRA、P25）、宽带无线接入（WiMAX）及小型化分布式天线系统（DAS）中的中高功率射频发射链路。 该器件采用高可靠性陶瓷封装（NI-780H），支持风冷或液冷散热，额定连续波（CW）输出功率达 140 W，脉冲模式下更高。其集成ESD保护、宽电源电压范围（28 V 或 32 V 可选）及良好的热稳定性，使其适用于长期稳定运行的室外基站环境。 注意：该器件已进入NXP产品生命周期末期（EOL），新设计建议评估替代型号（如 MRF6P21190HR5 或最新 Airfast® 系列），但现有设备维护与产线仍在广泛应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CHAN 28V 29W NI-880S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF6S19140HSR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-880S |
| 功率-输出 | 29W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 16dB |
| 封装/外壳 | NI-880S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 1.15A |
| 频率 | 1.93GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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