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- 型号： MRF5S21130HSR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF5S21130HSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF5S21130HSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF5S21130HSR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF5S21130HSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF5S21130HSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF5S21130HSR5 是 Fremont Micro Devices USA 推出的一款高性能射频（RF）N沟道LDMOS MOSFET，专为高频、高功率放大应用设计。其典型工作频率范围为2.1–2.2 GHz（适用于PCS/IMT-2000频段），输出功率可达130 W（连续波），具备高增益、高效率和良好热稳定性。 主要应用场景包括： ✅ 无线通信基站：广泛用于4G LTE及部分5G Sub-6 GHz宏基站的末级功率放大器（PA），尤其适配2.1 GHz频段的发射链路； ✅ 微波通信系统：如点对点回传设备、专用无线宽带接入系统中的射频功放模块； ✅ 工业与科研射频源：用于RF加热、等离子体激发、MRI射频激励等需稳定大功率射频输出的场合； ✅ 广播与应急通信：支持高线性度要求的宽带调制信号（如OFDM、WCDMA），满足ACPR与EVM指标。 该器件采用陶瓷封装（SOT-1227A），集成源极金属化与优化引线电感设计，支持风冷或底板传导散热，便于集成于紧凑型功放模块。需配合匹配网络、偏置电路及保护机制（如VSWR检测、过温关断）使用，以确保长期可靠性。 注：实际应用中需严格遵循厂商推荐的PCB布局、驱动电压（典型Vgs=+2.5 V，Vds=28 V）、静态偏置点（Class AB）及散热设计规范。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CHAN 28V 28W NI-880S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF5S21130HSR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-880S |
| 功率-输出 | 28W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 13.5dB |
| 封装/外壳 | NI-880S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.2A |
| 频率 | 2.11GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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