Datasheet下载- 型号： MRF5S21045MBR1
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF5S21045MBR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF5S21045MBR1价格参考。Freescale SemiconductorMRF5S21045MBR1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF5S21045MBR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF5S21045MBR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF5S21045MBR1 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS MOSFET，专为2.1 GHz频段（如W-CDMA、LTE FDD Band 1）基站功率放大器设计。其典型应用场景包括：宏蜂窝及微蜂窝基站的末级射频功放（PA），支持多载波宽带信号（如20 MHz LTE带宽），具备高增益（约17 dB）、高效率（典型PAE达65%）和优异线性度，满足ACLR等严苛通信标准要求。该器件采用气腔陶瓷封装（MR1），具备良好散热性能与可靠性，适用于连续波（CW）或复杂调制信号（如OFDM、64-QAM）下的高平均功率输出（P1dB约45 W，饱和输出功率>80 W）。广泛应用于4G LTE基站、小基站（Small Cell）以及部分5G Sub-6 GHz初期部署中的中功率射频前端模块，尤其适合需兼顾效率、线性度与稳定性的商用无线基础设施设备。不适用于消费类或低功率便携设备。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 28V 10W TO272-4 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF5S21045MBR1 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | TO-272 WB-4 |
| 功率-输出 | 10W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 14.5dB |
| 封装/外壳 | TO-272-4 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 500mA |
| 频率 | 2.11GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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