Datasheet下载- 型号： MR2A16AVYS35R
- 制造商： EVERSPIN TECHNOLOGIES
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MR2A16AVYS35R由EVERSPIN TECHNOLOGIES设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MR2A16AVYS35R价格参考。EVERSPIN TECHNOLOGIESMR2A16AVYS35R封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MR2A16AVYS35R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MR2A16AVYS35R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MR2A16AVYS35R 是 NXP（收购自Freescale）推出的1MB容量、35ns访问时间的非易失性磁阻随机存取存储器（MRAM），采用44引脚TSOP-II封装。其核心优势在于读写速度接近SRAM、无限次擦写、断电数据永久保持（10年@85℃）、抗辐射、宽温工作（–40℃至+85℃）。 典型应用场景包括： ✅ 工业自动化与PLC：作为程序/参数存储器，在频繁掉电、振动或高温环境下替代EEPROM/Flash，避免写入延迟与寿命限制； ✅ 汽车电子：用于ADAS控制器、车身控制模块（BCM）中存储校准数据、故障码（DTC）和配置信息，满足AEC-Q100 Grade 2可靠性要求； ✅ 医疗设备：在便携式监护仪、植入式设备备份电源失效时，确保关键患者数据、运行日志即时、可靠保存； ✅ 航天与军工：利用其抗单粒子翻转（SEU）和耐辐照特性，用于卫星遥测、雷达系统等高可靠性嵌入式存储； ✅ 网络通信设备：在交换机/路由器中缓存配置状态或实时统计信息，实现毫秒级断电恢复，提升系统可用性。 该器件无需备用电池或电容，简化BOM与PCB设计，适用于对数据完整性、写入耐久性、启动速度及环境鲁棒性有严苛要求的嵌入式系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC MRAM 4MBIT 35NS 44TSOP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Everspin Technologies Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MR2A16AVYS35R |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 44-TSOP2 （10.2x18.4） |
| 其它名称 | MR2A16AVYS35REV |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 存储器类型 | MRAM（磁阻 RAM） |
| 存储容量 | 4M （256K x 16） |
| 封装/外壳 | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 工作温度 | -40°C ~ 105°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,500 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 3 V ~ 3.6 V |
| 速度 | 35ns |
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