Datasheet下载- 型号： MR0A16AMYS35R
- 制造商： EVERSPIN TECHNOLOGIES
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MR0A16AMYS35R由EVERSPIN TECHNOLOGIES设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MR0A16AMYS35R价格参考。EVERSPIN TECHNOLOGIESMR0A16AMYS35R封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MR0A16AMYS35R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MR0A16AMYS35R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Everspin Technologies 的 MR0A16AMYS35R 是一款 4Mb（512K × 8）的非易失性自旋转移矩磁阻随机存取存储器（STT-MRAM），采用SOIC-32封装，35ns访问速度，工业级温度范围（–40°C 至 +85°C），支持3.3V供电。 其核心优势在于高速读写、无限次擦写、断电数据永久保持（>20年）、高抗辐射与高可靠性，适用于对数据完整性、实时性和环境适应性要求严苛的场景。 典型应用场景包括： ✅ 工业自动化与PLC：用作程序/参数存储，在频繁启停或意外断电时确保控制逻辑和状态数据零丢失； ✅ 网络通信设备：在交换机、路由器中缓存配置、路由表或日志，实现毫秒级快速恢复； ✅ 航空与国防电子：用于飞行控制、雷达系统等，凭借抗辐射、宽温、高可靠性满足DO-254/DO-178标准； ✅ 医疗设备：如影像设备、患者监护仪，保障关键运行参数与校准数据在断电后即时可用； ✅ 智能电表与能源管理系统：记录实时用电数据，无需超级电容或电池备份，降低BOM成本与故障率。 该器件可直接替代SRAM+EEPROM/Flash组合方案，简化电路设计，提升系统鲁棒性，是嵌入式关键数据存储的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC MRAM 1MBIT 35NS 44TSOP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Everspin Technologies Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MR0A16AMYS35R |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 44-TSOP2 （10.2x18.4） |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 存储器类型 | MRAM（磁阻 RAM） |
| 存储容量 | 1M （64K x 16） |
| 封装/外壳 | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,500 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 3 V ~ 3.6 V |
| 速度 | 35ns |
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