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- 型号： MPLAD30KP18CAE3
- 制造商： MICRO-SEMI
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MPLAD30KP18CAE3由MICRO-SEMI设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MPLAD30KP18CAE3价格参考。MICRO-SEMIMPLAD30KP18CAE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MPLAD30KP18CAE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MPLAD30KP18CAE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MPLAD30KP18CAE3 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的高能量TVS（瞬态电压抑制）二极管，属于MPLAD系列，采用轴向引线DO-204AR（即“P600”）封装。其关键参数包括：双向击穿电压VBR ≈ 18V（典型值），峰值脉冲功率达30kW（10/1000μs波形），峰值脉冲电流IPP高达~1000A，响应时间小于1ns。 该器件主要用于需承受极高瞬态浪涌能量的工业及严苛环境场景，典型应用包括： - 交流电源输入端口保护：如工业电源、UPS、变频器、电机驱动器等设备中，抵御雷击感应浪涌（IEC 61000-4-5 Level 4）及开关操作引起的高压尖峰； - 直流供电母线防护：在轨道交通、电力系统、风能/光伏逆变器的DC链路中，吸收大电流反向电动势或短路故障能量； - 恶劣电磁环境下的接口保护：适用于无源传感器、继电器控制回路、PLC I/O模块等对可靠性要求极高的工业自动化系统。 其双向结构（CA后缀）支持交流信号路径保护，无需区分极性；高功率密度和低箝位比（Vc/Vbr≈1.5）确保被保护电路在浪涌期间维持安全电压水平。需配合PCB布局优化（短而宽的走线、就近接地）及前端限流措施（如保险丝、PTC）以发挥最佳保护效果。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 18VWM 30.8VC PLAD |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi HI-REL [MIL] |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/9523-mplad30kp |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MPLAD30KP18CAE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | PLAD |
| 其它名称 | 1086-7387 |
| 功率-峰值脉冲 | 30000W （30kW） |
| 包装 | 散装 |
| 单向通道 | - |
| 双向通道 | 1 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 非标准型 SMD |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 20V |
| 电压-反向关态（典型值） | 18V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 30.8V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 975A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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