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  • 型号: MPLAD15KP8.5CAE3
  • 制造商: MICRO-SEMI
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MPLAD15KP8.5CAE3由MICRO-SEMI设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MPLAD15KP8.5CAE3价格参考。MICRO-SEMIMPLAD15KP8.5CAE3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MPLAD15KP8.5CAE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MPLAD15KP8.5CAE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MPLAD15KP8.5CAE3 是 Microsemi Corporation(现属 Microchip Technology)推出的高功率双向瞬态电压抑制二极管(TVS),属于MPLAD系列,具有15kW峰值脉冲功率(10/1000μs波形)、反向击穿电压约9.4V(典型值),钳位电压≤14.4V(在峰值电流下),适用于严苛的浪涌防护场景。

其典型应用场景包括:  
- 工业控制系统:保护PLC I/O端口、传感器接口及现场总线(如RS-485、CAN)免受雷击感应浪涌和开关噪声影响;  
- 通信设备电源与信号线:用于基站电源输入级、PoE供电接口或以太网端口(如RJ45)的二级ESD/浪涌防护;  
- 医疗电子设备:保障关键信号链(如ECG、监护仪前端接口)在电磁兼容(EMC)测试(IEC 61000-4-5 Level 4)中可靠运行;  
- 铁路与能源基础设施:部署于轨道信号系统、智能电表或光伏逆变器直流侧,抵御长距离电缆引入的高压瞬变(如雷电耦合、感性负载关断);  
- 军用/航空电子:因Microsemi器件具备高可靠性与宽温特性(-65°C ~ +150°C),可用于机载电源及航电接口的加固防护。

该器件采用DO-218AB封装,具备低钳位比与快速响应(<1ns),特别适合需兼顾高能量吸收与精密电路保护的场合。注意须配合合理PCB布局(短路径、低寄生电感)及上游限流措施(如保险丝/PTC),以发挥最佳防护效能。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

电路保护

描述

TVS DIODE 8.5VWM 14.4VC PLAD

产品分类

TVS - 二极管

品牌

Microsemi HI-REL [MIL]

数据手册

http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/9522-mplad15kp

产品图片

产品型号

MPLAD15KP8.5CAE3

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同频率时的电容

-

供应商器件封装

PLAD

其它名称

1086-7323

功率-峰值脉冲

15000W (15kW)

包装

散装

单向通道

-

双向通道

1

安装类型

表面贴装

封装/外壳

非标准型 SMD

工作温度

-55°C ~ 150°C

应用

通用

标准包装

1

电压-击穿(最小值)

9.44V

电压-反向关态(典型值)

8.5V

电压-箝位(最大值)@Ipp

14.4V

电流-峰值脉冲(10/1000µs)

1041A (1.041kA)

电源线路保护

无

类型

齐纳

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