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- 型号： MMSZ4689T3
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMSZ4689T3由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMSZ4689T3价格参考。ON SemiconductorMMSZ4689T3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMSZ4689T3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMSZ4689T3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMSZ4689T3 是安森美（ON Semiconductor）推出的表面贴装齐纳二极管，标称稳压值为1.8 V（典型值），容差±5%，最大功率耗散为500 mW，采用SOD-123封装。其低电压、小尺寸和高稳定性特点，使其适用于多种精密低压稳压与参考场景： 1. 低电压基准源：为ADC/DAC、传感器接口或微控制器（如3.3V/1.8V供电系统中的LDO反馈网络）提供稳定参考电压； 2. 电源轨钳位与过压保护：在I²C、SPI等低速数字接口中，配合限流电阻实现ESD防护或信号电平钳位（将信号限制在≤1.8V，防止后级器件过压）； 3. 电池电压监测：用于锂亚硫酰氯（LiSOCl₂）或碱性纽扣电池（如1.5V）供电设备中，通过分压+齐纳检测电池欠压状态； 4. 线性稳压器辅助电路：在低压差稳压器（LDO）的使能（EN）或反馈（FB）引脚中提供精确阈值检测； 5. 便携式与可穿戴设备：因SOD-123封装尺寸小（约2.7×1.6×1.1 mm）、功耗低，广泛用于智能手环、TWS耳机、医疗贴片等空间受限、电池敏感型产品。 需注意：该器件动态阻抗相对较高（典型值~150 Ω），不适用于大电流稳压；设计时应确保工作电流在0.25–10 mA范围内以兼顾精度与功耗，并建议加滤波电容提升噪声抑制能力。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 5.1V 500MW SOD123 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMSZ4689T3 |
| PCN设计/规格 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 10µA @ 3V |
| 供应商器件封装 | SOD-123 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | SOD-123 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 5.1V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | - |
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