Datasheet下载- 型号： MMRF1006HSR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMRF1006HSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMRF1006HSR5价格参考。Freescale SemiconductorMMRF1006HSR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMRF1006HSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMRF1006HSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMRF1006HSR5 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 MOSFET（LDMOS 工艺），专为高频率、高功率射频放大应用设计。其典型应用场景包括： - 蜂窝基站基础设施：广泛用于 4G LTE 和 5G 宏基站的末级功率放大器（PA），支持 1.8–2.2 GHz 频段（如 Band 3、Band 7、Band 34/39），具备高增益（>18 dB）、高效率（>65% 在 2.14 GHz）和优异线性度，满足严苛的 ACLR 要求。 - 无线通信系统：适用于点对点微波回传、小型基站（Massive MIMO AAU 模块中的子阵列 PA）、中继站及公共安全通信设备。 - 工业与广播应用：可用于 UHF 频段（如 470–862 MHz）数字电视发射机、ISM 射频加热源及雷达激励级放大器（非主发射级，需配合散热与匹配设计）。 该器件采用高可靠性陶瓷封装（HSR5），支持连续波（CW）与调制信号（如 OFDM、256-QAM）工作，集成ESD保护，适配NXP推荐的驱动级与输出匹配网络。需配合外部偏置电路、热管理（建议PCB铜层≥2 oz + 散热器）及阻抗匹配以发挥最佳性能。不适用于低频开关电源或音频放大等非射频场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS RF N-CH 1000W 50V NI-1230S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MMRF1006HSR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-1230S-4 |
| 功率-输出 | 200W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 20dB |
| 封装/外壳 | NI-1230S-4 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 110V |
| 电流-测试 | 150mA |
| 频率 | 450MHz |
| 额定电流 | - |
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